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天合光能取得降低 HJT电池成本的异质结电池及光伏组件专利
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刻蚀及去PSG工艺及异常处理
光伏新闻
2020年5月18日
摘要:
刻蚀目的 由于在扩散过程中,即使采用背靠背的单面扩散方式,硅片的所有表面(包括边缘)都将不可避免地扩散上磷。PN结的正面所收集到的光生电子会沿着边缘扩散有磷的区域流到PN结的背面,而造成短路,...
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SiO2+4HF=SiF4+2H2OSiF4+2HF=H2[SiF6]SiO2+6HF=H2[SiF6]+2H2O
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HF。RENAInOxSide工艺流程RENAInOxSide
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