掺钨二氧化钒薄膜在光电器件应用新突破

中钨在线 2025年2月11日

摘要:二氧化钒（VO₂）的金属-绝缘体转变（MIT）特性使其成为许多光电器件的关键功能层，然而其生长温度要求（450℃）与MIT温度要求（60℃）限制了其在光电器件尤其是在柔性基板应用中的兼容性。北京工业...

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