二硫化钼负电容晶体管的最新研究成果

中钨在线 2021年1月21日

摘要:近日，在2020国际电子器件大会（IEDM）上，微电子所刘明院士科研团队展示了二硫化钼（MoS2）负电容晶体管（NCFET）的最新研究成果。成果显示：MoS2 NCFE沟道长度能缩短至100nm，并实...

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