日本牵头：2nm hCFET晶体管浮出水面
工控网 2020年12月22日
摘要: 2020年12月，由日本工业技术研究院(AIST)和中国台湾半导体研究中心(TSRI)代表的联合研究小组宣布了用于2nm世代的Si(硅)/ Ge(硅)/ Ge层压材料。他们同时宣布，已开发出一种异...
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